User:Drilon Kastrati/sandbox

Transistoreët Transistori është një komponent elektronik i cili ka aftësi të përforcimit të tensionit ose rrymës, në bashkëveprim me elementet tjera të qarkut. Transistori është komponentë me tri terminale. Revulucioni elektronik i parë i transistorëve ka filluar në vitet 1950-1960, kurse i dyti në vitet 1970-1980.Materiali nga i cili perpunohet transistori është silic ose germanium. Dallojmë dy tipe të transistorëve: -	Transistori bipolar BJT (Bipolar Junction Transistor) dhe -	Transistori me efekt të fushës ose FET (Field Effect Transistor) Këto dy tipe të transistorëve paraqesin bazën e elektronikës moderne pasi që kanë rendësi mjaft të madhe dhe zbatime specifike. Transistorët BJT Transistorët bipolar me kontakt BJT (Bipolar Junction Transistor) ka tri shtresa gjysmëpërçuese me doping të ndryshëm dhe ka dy kontakte pn dhe katër mode të punës. Është komponentë me tri terminale dhe parimi i saj është që me tension në mes dy terminaleve të kalojë rryma në terminalin e tretë. Rryma e rrjedhjës në ketë transistor është si pasojë e rrjedhjës se elektroneve dhe vrimave prandaj quhen transistor bipolar. Struktura e tij përkatësisht terminalet e tij jane: baza (base), emiteri (emitter) dhe kolektrori (collector). Transistori mund të jetë i tipit npn dhe pnp. Trasnsitori i tipit npn përbehët nga një regjion i hollë p i vendosur në mes dy regjioneve n, ndërsa pnp ka një shtresë të ngushtë të regjionit n në mes dy shtresave të tipit p. Rymat e transistorit jane :

IB – rryma e bazës, IE – rryma e emiterit dhe IC - rryma e kolektorit.

Ndërsa tensionet të tipi npn : VBE – tensioni bazë-emiter , VCE – tensioni kolektor-emiter dhe VBC – tensioni bazë-kolektor.

Tensionet të tipi pnp janë të kundërta:

VEB – tensioni emiter-bazë, VEC – tensioni emiter-kolektor dhe VCB – tensioni kolektor-bazë. Transitorët me efekt teë fushës FET Transistori me efekt të fushës ose FET transistori ( Field Effect Transistor) është lloji i dytë me i rendësishem në elektronikë. Ekzostojnë dy tipe të ketij transistori: -MOSFET (Metal Oxide Semicondutor Fet) dhe -JFET (Junction Fet). Te ky tip i transitorit dallojmë tri regjione: - gate (porta). - source (burimi) dhe - drain (rrjedhes), të cilat formojnë tri terminalet dalëse të transistorit. Rryma e rrjedhjës te MOSFET-i është si rezultat i rrjedhjës se ngarkesave në regjionin e kanalit. Gjatësia e kanalit L dhe gjerêsia W janë të rendit 1 mikrometer që tregojnë dimensionet e transistorit. Te ky tip i transistorit kemi edhe një tension VTN që quhet si tension i pragut. Pas gjenerimit të rrymës në shtresat e ketij transistori dhe elektronet jane bartës kryesor, atëherë ky transistor quhet MOSFET n- kanalesh, në të kundertën MOSFET p-kanalesh. Sikurse të transistorët te tipit BJT edhe keta te tipit FET n-kanaleshi dhe p-kanaleshi janë të kundert njëri me tjetrin. Te ky transistor kemi rrymat dhe tensionet:

IG – rryma e gejtit, ID – rryma e drejnit dhe IS - rryma e sourcit. VDS – tensioni drejn-source, VGS – tensioni gejt-source dhe VGD – tesnisoni gejt-drejn. Modet e punës se ketij transistori janë: aktiv, i ngopjes dhe i bllokimit.


 * Electronic Devices sixth edition by Thomas Floyd
 * Electronic Devices ninth edition by Thomas Floyd